Против Samsung, Micron и SK Hynix подали коллективный иск за искусственный дефицит ОЗУ

Против Samsung, SK Hynix и Micron подан коллективный иск, компании обвиняются в сговоре. В соответствии с документам, три производителя, которые контролируют почти 90% мирового рынка DRAM, намеренно ограничили производство традиционной памяти под видом стратегического перехода на высокоскоростную HBM для задач искусственного интеллекта. Это привело к резкому росту цен на память — приблизительно на 700% за четыре года.

По версии заявителей, компании скоординированно перевели часть линий с выпуска DDR3 и DDR4 на версия HBM — сегмента с более высокой маржой. Валовая прибыль от чипов HBM в три‑пять раз превышает прибыль от стандартной DRAM, поэтому производителям было выгодно наращивать производство именно HBM. С 2022 года они перенаправили приблизительно 25 процентов своих мощностей по выпуску DRAM на HBM.  

Истцы называют такую практику «скоординированным сокращением производства». По их мнению, дисбаланс между растущим спросом на обычную память и сокращением её поставок напрямую способствовал усугублению дефицита и росту цен.

В иске также указывается, что это не первый такой случай: в 2005 году Samsung и SK Hynix признали себя виновными по делу о манипулировании ценами на DRAM в период с 1999 по 2002 год и выплатили штраф в размере $300 млн и $185 млн соответственно. С точки зрения истцов, это свидетельствует о том, что у ответчиков выработана систематическая и повторяющаяся модель антиконкурентных практик.

При этом, как считают эксперты, нев зависимости от исхода дела цены на память не снизятся. По оценке аналитиков Jefferies, в третьем квартале 2026 года цены на хранилище могут вырасти ещё на 40–50% относительно предыдущим кварталом, а в четвёртом квартале ожидается вспомогательный увеличение на 30–40%. На весь 2027 год аналитики прогнозируют увеличение цен на уровне 40–45%, а замедлится этот рост не раньше 2028 года.